Pomiń polecenia Wstążki
Przeskocz do głównej zawartości

Konferencje, Targi, Seminaria

Drukuj

Seminarium i wykład dr. Wojciecha Linharta

14.01.2014 | Aktualizacja: 17.01.2014 12:18

Centrum Materiałów Zaawansowanych i Nanotechnologii PWr oraz Komisja Inżynierii Materiałowej przy wrocławskim Oddziale PAN zapraszają na seminarium i referat, który wygłosi dr Wojciech Linhart z University of Liverpool.
Seminarium odbędzie się we wtorek 14 stycznia o godz. 13.15 w sali 321 budynku A-1.
Wojciech Linhart w 2006 roku ukończył studia matematyczne na Wydziale Matematyki i Informatyki Uniwersytetu Wrocławskiego, a w roku 2007 studia z fizyki na Wydziale Fizyki i Astronomii UWr. Praca magisterska dotyczyła badań adsorpcji molekuł Pb oraz Au na ścianie (110) molibdenu przy użyciu skaningowej mikroskopii tunelowej. W tym samym roku rozpoczął studia doktoranckie na tym samym wydziale w Zakładzie Spektroskopii Elektronowej pod opieką dr. hab. Marka Nowickiego, gdzie opracowywano pomiary I-V LEED oraz obliczenia teoretyczne I-V LEED. W lutym 2009 roku Wojciech Linhart otrzymał stypendium Marie Curie i dołączył do projektu RAINBOW, który dotyczył badań nad półprzewodnikami InN oraz jego stopami InGaN, InAlN; jednocześnie zmieniając swój kierunek badawczy z metali na półprzewodniki. Został zatrudniony na Wydziale Fizyki Uniwersytetu Warwick w Wielkiej Brytanii jako Early Stage Researcher i tam rozpoczął doktorat w grupie profesora Chrisa McConvilla. W kwietniu 2012 r. obronił pracę doktorską na temat elektronicznych właściwości „czystego” InN, domieszkowanego Mg InN oraz InGaN. Od sierpnia 2012 Wojciech Linhart jest zatrudniony w Instytucie Stephensona na Universytecie w Liverpoolu w grupie dr. Tima Veal’a, gdzie odbywa staż podoktorski, badając półprzewodniki z grupy III-V (GaSbN, GaSbBi, InSbN, InSbBi), II-IV-V (ZnSnN2), IV-VI (SnS, SnS2, Sn2S3) oraz tlenki (CdO).
km